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韩拯


中国科学院金属研究所,磁性材料研究部,研究员。主要研究方向为新型纳米结构及其在低温下的电输运性能。

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我的研究经历介绍:





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门电压调制的二维超导点阵.

当超导纳米颗粒的网络被耦合于例如石墨烯等载流子浓度可调的二维电子气,在一定的低温下,体系能够达到尺寸不受限制的全局超导。并且,该超导转变在零温极限下可以通过门电压的调制来实现“超导-绝缘体”,或者“超导-金属”量子相变。

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基于单个纳米胶囊的场效应管.

当纳米胶囊,尤其是具备壳核结构的纳米胶囊,被源电极和漏电极连接的时候,由于其小尺寸效应,电子和自旋将被局域在离散的能级上,从而在低温下显示有趣的电输运性能。

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二维材料的生长.

化学气相沉淀法生长二维材料无疑是近几年材料领域的热点。由于门电压可调性,超高迁移率,以及可能存在的带隙。诸多新兴二维材料在未来半导体工业届有着诱人的应用前景。研究发现,通过一种脉冲方法,多层析出的石墨烯杂质可以被完全可控过滤,从而实现可量化生产的绝对单层石墨烯。该方法理论上可以用来生长任意单层二维材料。

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